Silicon Single Crystal Ingot
단결정 실리콘 잉곳
특징
Czochralski 공법을 통해 고품질의 단결정 실리콘 잉곳 (Silicon Single Crystal Ingot)을 생산하고 있습니다. Czochralski 공법은 고순도 폴리 실리콘(Poly Silicon)을 도가니에 녹인 후, 회전하는 씨드(Seed)를 천천히 인출하며 단결정을 성장시키는 방식입니다. 이 과정에서 온도, 회전 속도, 인출 속도 등을 정밀하게 제어함으로써, 균일한 결정 구조와 낮은 결함 밀도의 고품질 잉곳을 생산할 수 있습니다. 이렇게 성장된 단결정 실리콘은 반도체 제조의 핵심 소재로 사용됩니다.
제품특징
장점
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STEP 1
Stacking
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STEP 2
Melting
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STEP 3
Necking
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STEP 4
Shouldering
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STEP 5
Body Growing
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STEP 6
Tailing